06.02
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웨스턴디지털, 5세대 3D 낸드 기술 ‘BiCS5’ 개발 성공웨어퍼간 셀 어레이 수평밀도 증가…비용 최적화 및 더 많은 비트 저장 가능
   
▲ 웨스턴디지털이 개발에 성공한 ‘BiCS5’

[아이티데일리] 웨스턴디지털(CEO 스티브 밀리건)은 5세대 3D 낸드 기술인 ‘BiCS5’ 개발에 성공했다고 4일 밝혔다.

TLC 및 QLC 기술을 기반으로 한 ‘BiCS5’는 합리적인 가격에 높은 용량과 뛰어난 성능 및 신뢰성을 제공함으로써 커넥티트 카, 모바일 디바이스, AI 등과 관련된 데이터의 기하급수적인 증가에 대응할 수 있다.

이번 웨스턴디지털이 개발에 성공한 ‘BiCS5’는 현재까지 웨스턴디지털이 개발한 가장 고밀도의 최신 3D 낸드 기술로, 2세대 다층 메모리 홀 기술과 개선된 엔지니어링 프로세스, 그 외 3D 낸드 셀 향상 등을 통해 웨이퍼간 셀 어레이의 수평 밀도를 대폭 증가시켰다. 이러한 ‘측면 미세화’ 개발과 112단 수직 메모리 기술의 결합으로 ‘BiCS5’는 비용은 최적화하면서 웨스턴디지털의 96단 BiCS4 기술 대비 웨이퍼당 40% 더 많은 비트를 저장할 수 있다.

성능 또한 향상돼 ‘BiCS5’는 BiCS4 대비 50% 더 빠른 입출력(I/O) 성능을 제공한다. ‘BiCS5’는 기술 및 생산 파트너인 키옥시아(Kioxia Corporation)와 공동 개발됐으며, 일본 미에현 욧카이치와 이와테현 카타카미에 위치한 공동 제조시설에서 생산될 예정이다. ‘BiCS5’ 기술은 데이터 중심의 개인용 전자제품, 스마트폰, IoT 디바이스 및 데이터센터 등에 사용되는 웨스턴디지털의 모든 3D 낸드 기술 포트폴리오를 바탕으로 한다.

현재 웨스턴디지털은 512Gb ‘BiCS5 TLC 칩’의 초도 생산을 시작했으며, 최근 새로운 기술 기반의 소비자용 제품을 출하하고 있다. ‘BiCS5’의 본격적인 상업적 생산은 2020년 하반기에 이뤄질 예정이다. ‘BiCS5 TLC’와 ‘BiCS5 QLC’는 1.33Tb를 포함한 다양한 용량으로 출시된다.

스티브 팩(Steve Paak) 웨스턴디지털 메모리 기술 및 생산 부문 수석 부사장은 “‘BiCS5’의 성공적인 생산은 웨스턴디지털의 플래시 메모리 기술 리더십과 기술 로드맵에 대한 강한 실행력을 보여주는 좋은 예시”라며 “자사의 다층 메모리 홀 기술 개선을 통해 측면 밀도 증가는 물론 더 많은 스토리지 레이어를 추가함으로써, 우리는 소비자들이 기대하는 신뢰성과 가격을 제공하는 동시에 3D 낸드 기술의 용량과 성능을 획기적으로 향상시키게 됐다”고 말했다.

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