40나노 대비 60% 생산성 증가로 경쟁 우위 확대
삼성전자가 세계 최초로 개발한 30나노급 2Gb DDR3 D램
삼성전자가 30나노급 공정을 적용한 2기가비트(Gb) DDR3 D램을 세계 최초로 개발했다고 1일 밝혔다.
이번 30나노급 D램은 지난해 1월 40나노급 D램 개발 1년만에 차세대 공정을 적용해 개발한 것으로 올해 하반기부터 양산에 들어간다.
30나노급 D램은 지난해 7월 삼성전자가 세계 최초로 양산에 들어간 40나노급 D램에 비해 약 60%의 생산성을 증가시킬 수 있고 50~60나노급 D램에 비해서는 원가 경쟁력을 2배 이상 확보할 수 있다.
또 30나노급 D램은 50나노급 D램과 비교해 소비전력을 약 30% 정도 절감할 수 있으며, 40나노급 D램에 비해서는 15% 이상 소비전력을 줄일 수 있다. 이는 노트북에 30나노급 4GB D램 모듈을 사용하면 시간당 전력 소비량은 약 3W 정도로 노트북 전체 소비전력의 3% 수준에 해당한다.
삼성전자 40나노급 공정에 이어 30나노급 공정을 1년만에 개발한 것은 DDR3 시장 확대에 맞춰 친환경 제품으로 서버에서부터 노트북까지 '그린 메모리' 전략을 강화할 것이라고 설명했다.
그 동안 업계에서는 D램의 셀 구조상 현재의 생산 공정에서는 40나노급 D램이 한계로 여겨져 왔다. 삼성전자는 50나노급 공정을 개발한 후 40나노급 공정을 개발하기까지 2년 이상 시간이 걸렸는데 비해 30나노급 공정을 1년 만에 개발한 것이라고 강조했다.
김윤겸 기자
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