대용량 모듈 개발에 적용, 1.35V에서 최대 1.6Gbps 데이터 처리 속도 구현
삼성전자가 세계 최초로 50나노급 공정을 적용한 업계 최대용량 4기가비트(Giga bit) DDR3 D램을 개발했다.
삼성전자는 2007년 60나노 공정 2기가비트 DDR2 D램 개발을 시작으로, 지난해 9월 50나노 공정 2기가비트 DDR3 D램을 최초 개발한 데 이어, 5개월만에 두 배 용량인 4기가비트 DDR3 D램 제품을 내놓은 것. 이에 따라 삼성전자는 업계에서 가장 많은 50나노 D램 제품군을 확보하게 됐다.
4기가비트 DDR3 D램은 서버용 16기가바이트(Giga Byte) RDIMM, 워크스테이션과 데스크탑 PC용 8기가바이트(GB) UDIMM, 노트북용 8기가바이트(GB) SODIMM 등 대용량 모듈 개발에 적용되며, 패키지 적층 기술(DDP: Double Die Package)을 적용하면 32기가바이트(GB) 모듈 개발도 가능하다.
최근에는 서버 시스템 당 메모리 탑재 용량이 매 2년마다 약 2배로 증가하는 추세를 보이고 있음에 따라 고용량 메모리에 대한 수요도 증가할 것으로 전망된다.
4기가비트 DDR3 D램은 50나노 공정 및 저전력 설계 기술을 적용해 1.35V에서 최대 1.6Gbps(초당 1,600메가비트)의 데이터 처리 속도를 구현함으로써, 기존 DDR3 D램 1.5V 동작 대비 약 20% 정도 성능이 향상됐다고 회사 측은 전했다.
또한, 4기가비트 DDR3를 활용하면 공정과 제조 원가 측면 뿐만 아니라 전력 소비 측면에서 더 큰 강점을 발휘할 수 있다고 덧붙였다.
삼성전자 관계자는 "향후에도 서버 시장에서 PC시장에 이르기까지 차세대 고용량*고성능 제품을 선행 개발해 다양한 고객의 요구에 대응하고, 프리미엄 메모리 시장을 지속적으로 창출하며 고부가가치 D램 매출을 확대해 경쟁 우위를 지속 유지해 나갈 것"이라고 말했다.
한편 반도체 시장 조사기관인 IDC에 따르면 세계 DDR3 D램 시장 규모는 비트(Bit) 기준으로 전체 D램 시장에서 '09년 29%, '11년 75%를 차지하게 되고, DDR3 D램 중 2기가비트 이상의 비중도 Bit(1Gb) 기준으로 각각 '09년 3%, '11년 33%를 점유할 것으로 전망됐다.
김하수 기자
hskim@itdaily.kr