아나로그디바이스, 오리건주 반도체 펩 설비 확장에 10억 달러 투자

신규 고용 효과 창출…교육 센터 통해 지역 사회 기여

2023-07-28     김호준 기자

[아이티데일리] 아나로그디바이스(ADI)는 미국 오리건주 비버튼에 있는 반도체 웨이퍼 팹 설비 확장을 위해 10억 달러 이상을 투자한다고 28일 밝혔다. 1978년에 완공된 비버튼 팹은 생산 물량 기준으로 ADI의 가장 큰 웨이퍼 제조 시설로서 산업, 자동차, 통신, 소비가전, 헬스케어 등 핵심 산업 분야의 고객에게 서비스를 제공하고 있다.

ADI는 미국 오리건주 비버튼에 위치한 반도체 웨이퍼 팹 확장을 위해 10억 달러 이상을 투자한다고 밝혔다. ADI 빈센트 로취(Vincent Roche) CEO 겸 회장(왼쪽)과 비벡 자인(Vivek Jain) 글로벌 운영 및 기술 총괄 부사장의 테이프 커팅 장면.

이번 설비 투자로 클린룸 공간은 약 11만 8천 제곱피트(약 1만 1천 제곱미터)로 늘어나고, 180나노미터 이상의 첨단 미세공정 노드에서 제작되는 ADI 자체 생산량은 거의 2배로 증대된다. 이와 함께 수백 명의 장기 신규 고용 효과를 창출함으로써 오리건주에서 근무하는 ADI 직원 수도 현재 약 950명에서 많이 늘어날 것으로 예상된다.

전체 투자의 10% 이상은 전반적인 효율을 높이고, 보다 환경친화적인 화학 물질을 활용하기 위한 최신 첨단 팹 장비 구매에 사용된다. 이 시설은 생산량을 2배로 늘리면서도 절대 온실가스 배출량은 약 75%, 생산 단위당 용수 사용량은 약 50% 줄이는 것을 목표로 한다.

ADI 비버튼 시설에는 반도체 장비 유지관리와 관련해 25명 내외의 학생으로 이뤄진 그룹을 대상으로 8주 과정의 교육을 제공하는 인재 개발 교육 센터인 반도체 선행 제조 대학(Semiconductor Advanced Manufacturing University, SAMU)이 유치될 예정이다. ADI는 교육 센터를 통해 미군 퇴역 군인·재취업 희망자·기존 ADI 공장 작업자 등 지역 사회의 다양한 그룹에 반도체 제조 기초 교육 및 전문성 심화 계발을 위한 커리큘럼에 대한 교육 기회를 제공할 예정이다.

ADI 빈센트 로취(Vincent Roche) CEO 겸 회장은 “ADI는 비버튼 팹 시설을 확장함으로써 핵심 산업 분야에서 생산 능력을 높이고 반도체 지원법(CHIPS Act)의 취지에 맞춰 미국 내 제조를 활성화한다. 자체 팹과 외부 파운드리를 함께 이용하는 ADI의 하이브리드 제조 모델의 글로벌 탄력성을 강화할 것"이라고 말했다. 이어 “비버튼에 대한 우리의 투자는 ADI 기존 인력의 놀라운 헌신과 재능, 오리건주의 강력한 인재 풀 활용을 통해 이러한 목표 달성을 촉진할 수 있을 것”이라고 기대했다.

미국 오리건주 론 와이든(Ron Wyden) 상원의원은 “ADI의 이번 투자 발표는 연방 반도체 지원법의 수혜를 오리건주가 온전히 누릴 수 있도록 하는 중요한 진전”이라며 “이번 발표는 비버튼에 양질의 신규 일자리를 창출해 주 차원에 영향력을 미치는 한편, 오리건주 경제 전반에 호재를 제공함으로써 오리건주의 대표 산업을 강화할 것”이라고 말했다.