하반기 중 50나노 16기가 낸드 플래시 양산 시작
▲ 삼성전자 반도체 2라인 준공식. 미국 텍사스 오스틴.
삼성전자는 최근 미국 텍사스 오스틴에 위치한 반도체 생산단지(SAS: Samsung Austin Semiconductor)에서 300mm 웨이퍼 생산라인인 제2라인(SAS Fab2)을 준공했다. 하반기 중 50나노 16기가 낸드 플래시 양산을 시작할 예정이다.
약 1년간의 공사를 거쳐 완공된 제2라인은 1997년부터 가동하고 있는 기존 200mm(8인치) 라인에 이은 미국 내 두 번째 반도체 생산시설로 삼성전자의 해외 첫 300mm 반도체 생산라인이다.
삼성전자는 이번 300mm 신규라인(4.3만평)에 2008년까지 총 35억달러를 투자할 계획이며, 초기 월 2만매 규모에서 점차 생산규모를 확충해 나갈 예정이다. 기존 200mm 1라인에서는 D램 생산을, 300mm 라인에서는 50나노급 이하의 낸드 플래시 등 차세대 메모리 생산을 주력한다는 계획이다.
삼성전자는 "300mm 라인 준공으로 차세대 고용량 낸드 플래시 생산시설을 확충해 세계 최대 IT 시장인 미주시장에 적극 대응할 수 있는 토대를 마련하게 됐다"고 전했다.
강현주 기자
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