이머션 리소그래피는 스텝앤드리핏(step & repeat) 리소그래피 시스템의 투사 렌즈와 수백 개의 마이크로프로세서를 포함하는 웨이퍼 사이의 공간에 투명한 액체를 채워 넣는 방식으로, 현재 사용되는 전통적인 공정 기술인 리소그래피에 비해 초점심도를 높이고 이미지 충실도 (image fidelity)를 향상시켜 칩 단계에서의 성능 및 제조공정 효율성을 향상시킬 수 있게 해준다.
침투성 울트라-로우-K 절연체는 인터커넥트 전기 용량 및 배선 지연을 감소시켜 마이크로프로세서 성능을 개선하고, 전력 소모를 줄일 수 있다. 또 배선 관련 지연에 있어 기존의 로우-K 절연체와 비교해 15%의 감소효과를 제공해준다.
이러한 트랜지스터 스트레인 기술의 발전에 힘입어 트랜지스터의 성능 향상과 함께 45nm 제조공정 기술로 전환 시 구조상 확장(geometry-related scaling) 문제를 극복하는 것이 가능해졌다. .
양사는 이 기술들을 적용한 첫번째 45nm 제품이 2008년 중순경에 출시될 것이라고 밝혔다.
강현주 기자 jjoo@rfidjournalkorea.com
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