스위칭 손실 낮추는데 중점 두고 개발, 시스템 비용 절감 기대

인피니언 테크놀로지스는 최근 자사의 3세대 thinQ!™ SiC 쇼트키 다이오드를 발표했다.


인피니언 테크놀로지스 3세대 thinQ!™ SiC 쇼트키 다이오드



이번에 출시되는 3세대 thinQ! 다이오드는 해당 전류 등급 (current rating)에 있어 업계 최저 디바이스 커패시턴스가 특징이며 높은 스위칭 주파수와 경부하 조건에서 전체 시스템의 효율을 향상시켜 전반적인 전력 변환 시스템 비용 절감에 중점을 두고 있다.

SiC 쇼트키 다이오드의 주요 애플리케이션 영역은 SMPS (Switched-Mode Power Supply)의 능동 역률 보정 (CCM PFC)과 솔라 인버터 및 모터 구동 등과 같은 AC/DC 및 DC/DC 전력 변환 애플리케이션 등이다.

인피니언 측은 이번 신형 SiC 쇼트키 다이오드의 디바이스 커패시턴스는 2세대 제품 대비 약 40% 낮아져 스위칭 손실을 낮춰준다고 밝혔다. 예를 들어 250kHz에서 동작하는 1kW PFC단에서 20%의 부하 조건 시, 0.4%의 전체 효율이 개선된다.

인피니언에 따르면 이번 쇼트키 다이오드는 높은 스위칭 주파수를 통해 인덕터 및 커패시터와 같은 수동부품의 크기 및 비용을 줄여 높은 수준의 전력밀도 설계가 가능하며 이를 통해 시스템 비용 절감 효과를 기대할 수 있다는 것. 인피니언은 일부 SMPS 애플리케이션에서 최대 20%의 시스템 비용 절감이 가능할 것으로 기대하고 있다.

인피니언 3세대 thinQ! SiC 쇼트키 다이오드는 TO-220 와 DPAK 패키지로 제공되는 600V 제품 (3, 4, 5, 6, 8, 9, 10, 12A)과 TO-220 패키지로 제공되는 1200V 제품 (2, 5, 8, 10, 15A)으로 구성된다. 샘플 공급은 2009년 1월부터 진행해 왔으며, 양산은 올해 봄부터 진행될 예정이다.

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