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삼성전자, 40나노 공정 DDR2 D램 개발올해 40나노급 2기가 DDR3 양산 예정…50나노급 대비 생산성 60% 향상 기대




삼성전자가 40나노급 공정을 적용한 DDR2 D램 제품을 개발했다.

삼성전자는 세계 최초로 2005년 60나노급 D램 개발에 이어 2006년 50나노급 D램, 올해 40나노급 D램 제품 개발을 잇달아 성공했다. 특히 이번 40나노급 DDR2 제품은 D램 공급 업체 중 유일하게 지난해 12월 인텔에 단품 채용 평가를 완료한 데 이어 올해 1월 1GB DDR2 SoDIMM 모듈까지 2종의 제품 채용 평가를 완료 했다.

삼성전자는 이번에 개발한 40나노급 1기가 DDR2 D램 개발 기술을 적용해, 40나노급 2기가 DDR3 제품을 올해 개발 완료하고 양산도 개시할 예정이다.

40나노급 2기가비트 DDR3 D램은 지난해 9월 양산을 시작한 50나노 2기가비트 DDR3 D램 대비 생산성을 약 60% 향상시킬 수 있어 현재 50~60나노급 D램을 양산하고 있는 D램 업체 대비 제조 경쟁력의 격차를 1~2년 이상으로 확대시킬 것으로 삼성전자는 전망하고 있다.

또 40나노급 D램은 50나노급 D램 대비 칩 면적 축소로 생산성이 향상될 뿐만아니라, 저전력·저전압 특성을 더욱 강화할 수 있는 1.2V 동작이 가능하다. 이는 기존 50나노급 1.5V D램 대비 약 30% 이상 소비전력 감소 효과까지 발휘할 수 있어, 40나노급 D램은 서버 등 고전력을 소비하는 응용처에서 더욱 유용한 친환경·고효율 에너지 솔루션을 제공할 수 있다.

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